|
|
|
|
| |
| 采用合適的硅碳棒燒結工藝 |
高導熱硅碳棒的主要制備工藝有熱壓燒結、放電等離子燒結、無壓燒結、重結晶燒結和反應燒結等，不同制備工藝下硅碳棒的熱導率有一定的差異。
使用熱壓燒結法或放電等離子燒結法可制備得到熱導率大于230W WK的硅碳棒，但由于熱壓燒結法和放電等離子燒結法的工藝特殊，燒成過程中原料粉體受到垂直機械壓力，因此制得的Si C陶瓷尺寸受限且結構單一。
使用無壓燒結法、重結晶燒結法和反應燒結法時，可制備得到大尺寸和復雜結構的硅碳棒，但這三種工藝難以制得熱導率大于230 W·W·K的硅碳棒。例如，反應燒結硅碳棒受生坯密度和燒成制度等因素制約，較難制得高純度硅碳棒，材料內常含有游離硅，其熱導率受游離硅粒徑、尺寸和分布制約。
無壓燒結硅碳棒同樣需添加各種燒結助劑，其中無壓液相燒結硅碳棒熱導率通常小于120 W·W·K，雖然無壓固相燒結硅碳棒熱導率可達到192.17W·W·K，但其燒成溫度較高(2150℃)且斷裂韌性較差。
重結晶硅碳棒中硅碳棒含量通常大于99%，但由于其蒸發一凝聚的燒結機理，使用該工藝難以制得高致密硅碳棒，燒結材料中含有較多貫通孔，材料中聲子一氣孔散射頻率較大，因此其熱導率低于高致密硅碳棒。www.reviewszon.com |
| 上一篇：硅碳棒陶瓷熱導率的影響因素 下一篇：加熱與熱交換工業領域硅碳棒 |
|
| | |
|
