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采用合適的硅碳棒燒結工藝 |
高導熱硅碳棒的主要制備工藝有熱壓燒結、放電等離子燒結、無壓燒結、重結晶燒結和反應燒結等,不同制備工藝下硅碳棒的熱導率有一定的差異。 使用熱壓燒結法或放電等離子燒結法可制備得到熱導率大于230W WK的硅碳棒,但由于熱壓燒結法和放電等離子燒結法的工藝特殊,燒成過程中原料粉體受到垂直機械壓力,因此制得的Si C陶瓷尺寸受限且結構單一。 使用無壓燒結法、重結晶燒結法和反應燒結法時,可制備得到大尺寸和復雜結構的硅碳棒,但這三種工藝難以制得熱導率大于230 W·W·K的硅碳棒。例如,反應燒結硅碳棒受生坯密度和燒成制度等因素制約,較難制得高純度硅碳棒,材料內常含有游離硅,其熱導率受游離硅粒徑、尺寸和分布制約。 無壓燒結硅碳棒同樣需添加各種燒結助劑,其中無壓液相燒結硅碳棒熱導率通常小于120 W·W·K,雖然無壓固相燒結硅碳棒熱導率可達到192.17W·W·K,但其燒成溫度較高(2150℃)且斷裂韌性較差。 重結晶硅碳棒中硅碳棒含量通常大于99%,但由于其蒸發一凝聚的燒結機理,使用該工藝難以制得高致密硅碳棒,燒結材料中含有較多貫通孔,材料中聲子一氣孔散射頻率較大,因此其熱導率低于高致密硅碳棒。www.reviewszon.com |
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