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        A、玻璃行業專用碳化硅電熱元件
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        還原爐不同運行階段的硅碳棒徑和生長速度
          利用該硅碳棒徑檢測裝置對還原爐完整生長過程中各階段的硅碳棒徑和生長速度進行跟蹤監測,并選取運行效果較好的共9爐次進行了匯總。根據還原爐硅硅碳棒生長控制的要求,早期由于硅碳棒直徑細,表面積小,所以爐內輻射熱量小,硅碳棒表面溫度需控制較高,硅碳棒沉積生長較快;后期由于硅碳棒直徑大,輻射熱量大,為保證表面的致密,硅碳棒表面溫度需控制較
        低,硅碳棒生長速度慢。根據實際檢測數據,還原爐內不同階段多晶硅生長速度范圍:前期為1. 3-1.Smm/s,中期為1. 0一1. 2 mm/s,后期為0. 8-1.0 mm/s,硅碳棒徑和生長速度趨勢如圖4所示。還原爐硅碳棒生長過程的分析。
          還原爐運行的主要優化控制目標為多晶硅產品的單位還原電耗低、單位物料消耗低,在獲得硅碳棒徑、生長速度數據的基礎上,可根據功率、物料流量等控制參數計算瞬時電耗、瞬時原料消耗,從而了解到不同生長階段的運行效果情況。筆者選取了較具代表性的2爐次,結合電壓、電流、功率、物料流量等控制參數及計算的瞬時電耗、瞬時原料消耗等進行分析,各參數趨勢如圖5所示。www.reviewszon.com
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