傳統工藝條件下生產的抗腐蝕碳化硅電熱元件存在著電阻離散性大、成品率低、強度低、使用溫度低、致密度差等問題。這些難題長期以來制約著抗腐蝕碳化硅電熱元件行業的技術進步、產業升級、節能降耗、經濟效益提高和出口創匯。因此摸索抗腐蝕碳化硅電熱元件的新型制各工藝與探討其結晶性能，對于改善其使用性能、提高成品率、使用溫度以及發展新型抗腐蝕碳化硅電熱元件都是非常必要的。近年來由于環保的需要，傳統煤燒、油燒窯爐、逐漸向氣燒和電燒轉變，加之建筑材料、耐火材料、電子陶瓷產品的更新換代，大部分電子陶瓷產品、高級建筑材料、高級耐火材料都開始使用電熱窯爐燒成，隨著我國工業窯爐和高溫技術的發展，對碳化硅電熱元件的使用溫度和使用壽命也提出了更高要求。本文的主要研究內容包括：（１）通過優化素燒和燒成窯中的保溫料配方，改善保溫料的導熱和保溫性能，擴大并均勻溫場，阻提高成品率、擴大產量。（２）用現代測溫技術、控溫技術，嚴格控制燒成曲線，解決素坯溫度梯度大造成的素燒變形問題，以達到提高成品率的目的。（３）利用單熱源和雙熱源碳化硅合成爐，進行抗腐蝕碳化硅電熱元件的燒成試驗。解決抗腐蝕碳化硅電熱元件熱端燒成中窯內溫差大、溫度不能精確控制，制品過燒和生燒造成的單體結晶性能差異大、電阻離散性大、力學性能差、成品率低的問題。（４）使用ｘ．射線粉末衍射儀對制品的物相進行分析，使用電子掃描顯微鏡對制品表面形貌、孑Ｌ道結構與分布、晶體結構進行分析。通過對制備工藝的研究和制品性能的測試，找出最佳的素燒溫度和最佳素燒填充料，并對比了單熱源燒成和多熱源燒成的溫度場的特點，找出了燒成的最佳溫度區域。通過對制品的物相分析和結構表征，進一步探討燒成機理：抗腐蝕碳化硅電熱元件的再結晶反應，就是在高溫還原氣氛中，棒體中次生碳化硅晶粒生成、長大、原碳化硅長大，而后相互接觸成為緊密堆積的聚集體的過程。探討了抗腐蝕碳化硅電熱元件高溫失效的主要原因，通過對棒體涂刷二硅化鉬涂層，表面能生成致密的石英玻璃膜，保護內層的ＳｉＣ不再繼續氧化。關鍵詞：抗腐蝕碳化硅電熱元件；制各；結晶性能；電阻率；素燒：燒成研究類型：抗腐蝕碳化硅電熱元件是以碳化硅為主要原料，用煤瀝青做結合劑，經成型、素燒、高溫燒制而成的碳化硅再結晶制品，具有碳化硅的基本相同的物理化學性質。因為它用于電加熱，所以人們把它稱為ＳｉＣ電熱元件或ＳｉＣ發熱元件，俗稱硅碳棒�？垢�蝕碳化硅電熱元件主要成分是碳化硅（ＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｏｎ），這種電熱元件的燒制溫度一般在１９００℃以上，通常使用溫度為１３５０℃以下，正常連續使用壽命一般在２０００ｈ以上，因它具有許多優異的電氣性能，熱效率高，耗能少，可以精確控制溫度；使用方法簡單，可并聯、串聯、混聯使用，可水平或豎直安裝；性價比較高；是中高溫電爐最常用的電熱元件�？垢�蝕碳化硅電熱元件是一種常用的加熱元件，可以將電能轉化成熱能，由于它具有使用溫度高、抗氧化性好、導熱傳熱快、輻射能力強、熱膨脹系數小等優越性能，顯示出作為非金屬電熱元件優越的特性，因而大量應用于石油、化工、冶金、機械、建材、微電子、汽車、航空航天、鋼鐵、造紙、激光、核能及加工等工業領域，并日益顯示出其它結構陶瓷所無法比擬的優點。近年來由于環保的需要，傳統煤燒、油燒窯爐、逐漸向氣燒和電燒轉變，加之建筑材料、耐火材料、電子陶瓷產品的更新換代，大部分電子陶瓷產品、高級建筑材料、高級耐火材料都開始了使用電熱窯爐燒成。因此抗腐蝕碳化硅電熱元件產品的市場需求越來越大。